MDmesh DK5 MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh DK5 MOSFETs are very-high voltage fast recovery diodes with a 950V to 1050V breakdown voltage. The DK5 has a very low gate charge, as low as 45nC, and a reverse recovery time (trr) of 250ns (typ.). This makes the MDmesh DK5 ideal for ZVS LLC resonant converters in high-power applications. These applications include industrial welders, plasma generators, high-frequency induction melting/heating, and X-ray machines.

Rezultatai: 3
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Pakavimas

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 long l
Duomenų Lapas
600Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 38 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 100 nC - 55 C + 150 C 450 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 packag
Duomenų Lapas
697Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 38 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 100 nC - 55 C + 150 C 450 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1050 V, 0.110 Ohm typ., 46 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a Max247 packa
Duomenų Lapas
460Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 44 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 175 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement MDmesh Tube