CoolMOS™ C7 Power MOSFETs

Infineon's CoolMOS™ C7 Power MOSFETs are a revolutionary step forward in technology, providing low RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range. The C7 is optimized for hard switching topologies such as Power Factor Correction (CCM PFC), Two Transistor Forward (TTF) and Solar Boost in applications such as Solar, Server, Telecom and UPS. The 650V breakdown voltage makes it suitable for Solar and Switched Mode Power Supplies (SMPS) PFC stages where extra safety margin are required. They offer the world's lowest RDS(on) of 19mΩ in a TO-247 and 45mΩ in TO-220 and D2PAK packages. The fast switching performance of C7 now enables customers to operate at switching frequencies greater than 100kHz while achieving titanium levels of efficiency in Server PFC stages.

Rezultatai: 78
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 39 Savaičių
Min.: 3 000
Daugkart.: 3 000
Reel: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 173 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 40 C + 150 C 75 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 500
Daugkart.: 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 65 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 15 Savaičių
Min.: 240
Daugkart.: 240

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 54 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 162 W Enhancement CoolMOS Tube