1200V SiC MOSFETs

Nexperia 1200V SiC MOSFETs are housed in 3-pin TO-247-3 and 4-pin TO-247-4 for through-hole PCB mounting. The Nexperia MOSFETs are ideal for high-power and high-voltage industrial applications thanks to excellent temperature stability and fast switching speed. These applications include E-vehicle charging infrastructures, photovoltaic inverters, and motor drives.

Rezultatai: 3
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Nexperia SiC MOSFET TO247 1.2KV 66A N-CH SIC
Duomenų Lapas
201Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 84 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET TO247 1.2KV 36A N-CH SIC
Duomenų Lapas
253Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 120 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 44 nC - 55 C + 175 C 202 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF040120L4A1/SOT8071/TO247-4L
Duomenų Lapas
20Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 30

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 81 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement