IXYxN120A4 XPT™ GenX4™ IGBTs

IXYS IXYxN120A4 XPT™ GenX4™ IGBTs are the 4th generation Trench IGBTs that feature XPT thin-wafer technology. These ultra-low VSAT IGBT transistors support switching frequencies up to 5kHz and are optimized for low conduction losses. The IXYxN120A IGBTs offer advantages such as high power density, a low gate drive requirement, and an operating temperature from -55°C to +175°C. These transistors come in TO-247 and TO-269HV packages, each featuring a voltage of 1200V and a current of 55A or 85A. The IXYxN120A IGBTs are used in applications such as power inverters, motor drives, PFC circuits, battery chargers, welding machines, lamp ballasts, and inrush current protector circuits.

Rezultatai: 53
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Pakuotė / Korpusas
Montavimo stilius
Configuration
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa
Didžiausia vartų emiterio įtampa
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C
Pd - skaidos galia
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Serija
Pakavimas
IXYS IGBT 650V/290A Trench IGBT GenX4 XPT
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 41 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 25

Si TO-264-3 Through Hole Single 650 V 1.7 V - 20 V, 20 V 290 A 940 W - 55 C + 175 C Trench Tube

IXYS IGBT 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 27 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 250 A 880 W - 55 C + 175 C Trench Tube

IXYS IGBT 650V/290A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 48 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 290 A 940 W - 55 C + 175 C Trench Tube