FZ2000R33HE4 & FZ1400R33HE4 3300V IGBT Modules

Infineon Technologies FZ2000R33HE4 and FZ1400R33HE4 3300V Single-Switch IGBT Modules offer TRENCHSTOP™ IGBT4 and Emitter Controlled 4 diodes. Insulated-gate bipolar transistors are three-terminal power semiconductor devices used as electronic switches to combine high efficiency and fast switching. FZ2000R33HE4 is a 2000A 190mm single-switch module. FZ1400R33HE4 is a 1400A 130mm single-switch module. The devices offer high short-circuit capability and current density with low switching losses. Applications include high-power converters, medium-voltage converters, and motor and traction drives.

Rezultatai: 2
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Gaminys Configuration Collector- Emitter Voltage VCEO Max Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C Užtvaro sklaidos įrenginio nuotėkio srovė Pd - skaidos galia Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pakavimas
Infineon Technologies Igbt Moduliai IHV IHM T Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 2
Daugkart.: 2

IGBT Silicon Modules Single 3.3 kV 2.3 V 1.4 kA 400 nA 2.9 MW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FZ2000R33HE4BOSA1
Infineon Technologies Igbt Moduliai IHV IHM T Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Single 3.3 kV 2.2 V 2 kA 400 nA 4.2 MW - 40 C + 150 C Tray