Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

IRF100B201

Name: Infineon IRF100B201
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRF100B201
Price: 3.8 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

942-IRF100B201

Mfr. #:

IRF100B201

Gam.:

Infineon Technologies

Aprašymas:

MOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg

Duomenų Lapas:

IRF100B201 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Infineon Technologies IRF100B201

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Infineon
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-220-3
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	100 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	192 A
RDS On - Drain-Source Varža:	4.2 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	20 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	2 V
Qg – vartų krūvis:	170 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	441 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	StrongIRFET
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Rudens laikas:	100 ns
Tiesioginis laidumas - min:	278 S
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	97 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	1000
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	110 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	17 ns
Vieneto Svoris:	2 g

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

IRF100B201 Duomenų Lapas (PDF)

Models

Saber Model - IRF100B201 (CAD)

Product Catalogs

SPICE Models

Spice Model - IRF100B201

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

Reglamentavimo kodai

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Klasifikacija pagal kilmę

Kilmės šalis:: Malaizija
Šalis, kurioje pagaminta:: Kinija
Distribucijos šalis:: Malaizija

Šalis gali keistis siuntimo metu.

IRF100x201 HEXFET™ Power MOSFETs

Infineon IRF100x201 HEXFET™ Power MOSFETs are 100V, single N-channel MOSFETs with enhanced body diode dV/dt and dl/dt capability. These MOSFETs provide improved gate, avalanche, and dynamic dV/dt ruggedness, fully characterized capacitance, and avalanche Safe Operating Area (SOA). The IRF100x201 MOSFETs come in TO-220 and D²-Pak packages and are RoHS compliant, lead-free, and halogen-free. Applications include brushed and BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, power supplies, and power switches.

ATRINKTI PRODUKTAI

INFINEON

OptiMOS™ 7 100V Automotive Power MOSFETs

Advanced N‑channel devices engineered for high-efficiency power switching.

Sužinokite Daugiau

OptiMOS™ 6 60V Power MOSFETs

Delivers superior performance to OptiMOS 5 via robust power MOSFET technology.

Sužinokite Daugiau

N-Channel OptiMOS™ 7 25V Power MOSFETs

Application-optimized performance, enabling peak performance for data centers, servers, & AI.

Sužinokite Daugiau

OptiMOS™ 8 Power MOSFETs

These are N-channel, normal level 80V or 100V MOSFETs with very low on-resistance [R_DS(ON)].

Sužinokite Daugiau

N-Channel OptiMOS™ 7 80V Power MOSFETs

80V, N-channel, normal level devices with superior thermal resistance in a PG‑TDSON‑8 package.

Sužinokite Daugiau

Prieinamumas: 3 812

Turime sandėlyje:: 3 812

Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Pagal užsakymą:: 12 000

Tikėtina 2026-11-26

27 000

Tikėtina 2027-07-29
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 8

Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1 Maks. 3000

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	3,80 €	3,80 €
	2,11 €	21,10 €
	1,86 €	186,00 €
	1,56 €	780,00 €
	1,44 €	1 440,00 €
	1,36 €	2 720,00 €

IRF100B201

Gam.: Infineon Technologies

Aprašymas: MOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg

Specifikacijos

Dokumentai (6)

Duomenų Lapas

Models

Product Catalogs

SPICE Models

Aplinkosaugos dokumentai

Produktų ir prekybos sąlygos

Daugiau informacijos

IRF100x201 HEXFET™ Power MOSFETs

Klientai taip pat pirko

ATRINKTI PRODUKTAI INFINEON

Prieinamumas: 3 812

Kainodara (EUR)

Greitoji Peržiūra

Įvyko netikėta klaida.

Gam.:

Infineon Technologies

Aprašymas:

MOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg

ATRINKTI PRODUKTAI

INFINEON