Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

NXV08H300DT1

Name: onsemi NXV08H300DT1
Brand: onsemi
SKU: 863-NXV08H300DT1
Price: 68.19 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

863-NXV08H300DT1

Mfr. #:

NXV08H300DT1

Gam.:

onsemi

Aprašymas:

MOSFET moduliai APM17-MDC MV7 80V AL2O3 2 PHASE

Duomenų Lapas:

NXV08H300DT1 Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie onsemi NXV08H300DT1

Prieinamumas: 30

Turime sandėlyje:: 30 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 24 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	68,19 €	68,19 €
	54,57 €	545,70 €
	51,66 €	5 166,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	onsemi
Gaminio kategorija:	MOSFET moduliai
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	APM-17
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	80 V
RDS On - Drain-Source Varža:	650 uOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	2 V
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 125 C
Serija:	NXV08H300DT1
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	onsemi
Configuration:	Half-Bridge
Rudens laikas:	290 ns
Gaminio tipas:	MOSFET Modules
Kilimo Laikas:	475 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	10
Subkategorija:	Discrete and Power Modules
Tipas:	Automotive Power MOSFET Module
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	608 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	235 ns

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

NXV08H300DT1 Duomenų Lapas

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

NXV08H300DT1 MOSFET Module

onsemi NXV08H300DT1 MOSFET Module is a dual half bridge 80V automotive power MOSFET module with temperature sensing for 48V mild hybrid automotive applications. This 2-phase power MOSFET module is electrically isolated with Direct Bond Copper (DBC) substrate for low Rthjc. The NXV08H300DT1 module is compactly designed for low total module resistance, and the small, efficient, and reliable system design reduces vehicle fuel consumption and CO₂ emissions. The components inside the module are AEC-Q101 (MOSFET) and AEC-Q200 (passives) qualified. The NXV08H300DT1 power MOSFET module is ideally used in 48V inverter and 48V traction applications.