Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

LSIC1MO120G0040

Name: IXYS LSIC1MO120G0040
Brand: IXYS
SKU: 576-LSIC1MO120G0040
Price: 23.62 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

576-LSIC1MO120G0040

Mfr. #:

LSIC1MO120G0040

Gam.:

IXYS

Aprašymas:

SiC MOSFET TO247 1.2KV 50A N-CH SIC

Duomenų Lapas:

LSIC1MO120G0040 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie IXYS LSIC1MO120G0040

Prieinamumas: 431

Turime sandėlyje:: 431 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 29 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Didesniam nei 431 kiekiui taikomi minimalaus užsakymo reikalavimai.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	23,62 €	23,62 €
	17,25 €	172,50 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	IXYS
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
RoHS:
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-247-4
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.2 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	70 A
RDS On - Drain-Source Varža:	50 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4 V
Qg – vartų krūvis:	175 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	357 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekės Ženklas:	IXYS
Configuration:	Single
Rudens laikas:	8 ns
Pakavimas:	Tube
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Kilimo Laikas:	9 ns
Serija:	LSIC1MO120G0xxx
Gamyklinės pakuotės kiekis:	450
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	SiC
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	22 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	13 ns

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

LSIC1MO120G0040 Duomenų Lapas (PDF)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

LSIC1MO120G0x N-Channel SiC MOSFETs

IXYS LSIC1MO120G0x N-Channel SiC MOSFETs offer a 1200V drain-source voltage rating, 25mΩ to 160mΩ resistance range, and 14A to 70A currents. These MOSFETs are optimized for high-frequency, high-efficiency applications, and feature ultra-low on-resistance, low gate resistance, and normally-off operations at all temperatures. The IXYS LSIC1MO120G0x N-Channel SiC MOSFETs are ideal for solar inverters, switch-mode power supplies, motor drives, battery chargers, and more.