MRF1K50N 1500W RF Power Transistors

NXP MRF1K50N and MRF1K50GNR5 1500W RF Power Transistors combine high RF output power, superior ruggedness, and thermal performance. These LDMOS devices feature an over-molded plastic package, offering up to 30% lower thermal resistance compared with the ceramic MRF1K50H. NXP's plastic packaging technology helps extract more performance from RF transistors while simplifying amplifier manufacturability thanks to tighter dimensional tolerances and better solder connections. 

Rezultatai: 2
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Tranzistoriaus poliškumas Technologijos svar. – nuolatinio išleidimo srovė Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa Darbinis Dažnis Gain Išvesties Galia Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Pakavimas
NXP Semiconductors RD MOSFET tranzistoriai Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V 41Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 50

N-Channel Si 36 A 133 V 1.8 MHz to 500 MHz 23 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors RD MOSFET tranzistoriai Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 10 Savaičių
Min.: 50
Daugkart.: 50
Reel: 50

N-Channel Si 36 A 133 V 1.8 MHz to 500 MHz 23 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230G-4 Reel