Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

DMT2004UFDF-7

Name: Diodes Incorporated DMT2004UFDF-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMT2004UFDF-7
Price: 0.55 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

621-DMT2004UFDF-7

Mfr. #:

DMT2004UFDF-7

Gam.:

Diodes Incorporated

Aprašymas:

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

Duomenų Lapas:

DMT2004UFDF-7 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Diodes Incorporated DMT2004UFDF-7

Prieinamumas: 3 641

Turime sandėlyje:: 3 641 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 24 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Pakuotė:

Visa Ritė (Užsakoma po 3000)

Pjaunama Juosta

"MouseReel"™ (+5,00 €)

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“ ^†
	0,559 €	0,56 €
	0,42 €	4,20 €
	0,288 €	28,80 €
	0,252 €	126,00 €
	0,228 €	228,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)
	0,181 €	543,00 €
	0,175 €	1 050,00 €
	0,164 €	1 476,00 €

† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Diodes Incorporated
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	DFN-2020-6
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	24 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	14.1 A
RDS On - Drain-Source Varža:	4.8 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 12 V, 12 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	550 mV
Qg – vartų krūvis:	53.7 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	12.5 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Pakavimas:	MouseReel
Prekės Ženklas:	Diodes Incorporated
Configuration:	Single
Rudens laikas:	38.6 ns
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	9.6 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	3000
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	30.8 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	3.9 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel
Vieneto Svoris:	6,750 mg

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

DMT2004UFDF-7 Duomenų Lapas (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

DMT2004UF N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMT2004UF MOSFET is a 24V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET designed with a 0.6mm profile and 4mm² footprint. Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability, the DMT2004UF MOSFET minimizes on-state resistance while maintaining excellent switching performance. The DMT2004UF MOSFET offers a 4.8-12.5mΩ on-state resistance, 0.55-1.45V gate threshold voltage, 11.2-14.1A continuous drain current, and 12.5W power dissipation. Switching performance includes a 38.6ns turn-off fall time, 9.6ns turn-on rise time, typical 30.8ns turn-off delay time, typical 3.9ns turn-on delay time, and 11.2ns recovery time. The 24V DMT2004UF N-Channel Enhancement-Mode MOSFET design makes the device ideal for high-efficiency power-management applications.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Gate Drivers

Diodes Incorporated Gate Drivers cover many applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between the microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.

DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.