EVAL 2ED2101 HB-LLC Evaluation Board

Infineon Technologies EVAL 2ED2101 HB-LLC Evaluation Board demonstrates the switching performance of the SOI high-side and low-side 2ED2101S06F Gate Driver. The 2ED2101S06F is a high voltage, high-speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels with resonant-tank switching frequencies in the 500kHz range.

Rezultatų Nerasta.
Pabandykite pakeisti toliau pateiktą paieškos žodį arba apsilankykite mūsų Pagalbos Centre.
Ieškoti Pasiūlymų
  • Patikrinkite dalies numerio arba raktažodžių rašybą
  • Naudokite mažiau arba kitokius raktažodžius
  • Ieškoti pagal 1 dalies numerį vienu metu
  • Vienu metu taikykite 1 filtrą