EVAL 2ED2101 HB-LLC Evaluation Board
Infineon Technologies EVAL 2ED2101 HB-LLC Evaluation Board demonstrates the switching performance of the SOI high-side and low-side 2ED2101S06F Gate Driver. The 2ED2101S06F is a high voltage, high-speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels with resonant-tank switching frequencies in the 500kHz range.
Rezultatų Nerasta.
Pabandykite pakeisti toliau pateiktą paieškos žodį arba apsilankykite mūsų Pagalbos Centre.
Pabandykite pakeisti toliau pateiktą paieškos žodį arba apsilankykite mūsų Pagalbos Centre.
Ieškoti Pasiūlymų
- Patikrinkite dalies numerio arba raktažodžių rašybą
- Naudokite mažiau arba kitokius raktažodžius
- Ieškoti pagal 1 dalies numerį vienu metu
- Vienu metu taikykite 1 filtrą
