Aukštosios įtampos DTMOS VI MOSFET TOLL korpuse

„Toshiba“ aukštosios įtampos DTMOSVI MOSFET TOLL korpuse pasižymi maža drenažo ir šaltinio įjungimo varža (Rdson) ir didelės spartos perjungimo savybėmis su mažesne talpa. Taigi jie puikiai tinka perjungiamojo maitinimo šaltiniams. Šie naujausios kartos DTMOSVI pasižymi mažiausiu naudingumo koeficientu RDS(ON)xQgd ir yra patalpinti naujame TOLL korpuse (9,9×11,68×2,3 mm) su Kelvino šaltinio jungtimi, kad būtų sumažinti įjungimo ir išjungimo nuostoliai.

Rezultatai: 6
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Tranzistoriaus poliškumas Kanalų skaičius Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa svar. – nuolatinio išleidimo srovė RDS On - Drain-Source Varža Vgs - užtūros-šaltinio įtampa Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa Qg – vartų krūvis Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pd - skaidos galia Kanalas Mode Pakavimas
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ 1 058Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 47 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ 3 792Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 86 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ 2 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 149 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ 1 232Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 51 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 62 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs 600V DTMOS VI TOLL 55mohm
6 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 40 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 65 nC 270 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 2 000
Daugkart.: 2 000
Reel: 2 000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 122 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Reel