Aukštosios įtampos DTMOS VI MOSFET TOLL korpuse

„Toshiba“ aukštosios įtampos DTMOSVI MOSFET TOLL korpuse pasižymi maža drenažo ir šaltinio įjungimo varža (Rdson) ir didelės spartos perjungimo savybėmis su mažesne talpa. Taigi jie puikiai tinka perjungiamojo maitinimo šaltiniams. Šie naujausios kartos DTMOSVI pasižymi mažiausiu naudingumo koeficientu RDS(ON)xQgd ir yra patalpinti naujame TOLL korpuse (9,9×11,68×2,3 mm) su Kelvino šaltinio jungtimi, kad būtų sumažinti įjungimo ir išjungimo nuostoliai.

Rezultatai: 6
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Pakavimas
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ
Duomenų Lapas
1 035Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 47 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ
Duomenų Lapas
3 792Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 86 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ
Duomenų Lapas
2 000Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 149 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs 600V DTMOS VI TOLL 55mohm
Duomenų Lapas
5 965Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 40 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 65 nC 270 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ
Duomenų Lapas
1 180Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 51 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 62 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 2 000
Daugkart.: 2 000
: 2 000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 122 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Reel