ADPA7006 GaAs pHEMT MMIC Power Amplifier

Analog Devices ADPA7006 GaAs pHEMT MMIC Power Amplifiers are pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT), monolithic microwave integrated circuit (MMIC), distributed power amplifiers that operate from 18GHz to 44GHz. The amplifiers provide 23.5dB of small signal gain, 29dBm output power for 1dB compression, and a typical output third-order intercept of 38dBm. The ADPA7006 requires 800mA from a 5V supply on the supply voltage (VDD) and features inputs and outputs that are internally matched to 50Ω, facilitating integration in multichip modules (MCMs). All data is taken with the chip connected via two 0.025mm wire bonds that are less than 0.31mm long.

Rezultatai: 2
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Darbinis Dažnis Darbinė Maitinimo Įtampa Darbinė Maitinimo Srovė Gain NF - triukšmo koeficientas Tipas Montavimo stilius Technologijos P1dB - suspaudimo taškas OIP3 – trečiosios eilės perėmimas Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pakavimas
Analog Devices RF Stiprintuvas 28 dBm P1dB, 20 dB gain
79Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 GHz to 44 GHz 5 V 800 mA 23 dB 7 dB Power Amplifiers SMD/SMT GaAs 29 dBm 39 dBm - 40 C + 85 C Cut Tape
Analog Devices ADPA7006AEHZ-R7
Analog Devices RF Stiprintuvas 28 dBm P1dB, 20 dB gain
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 39 Savaičių
Min.: 500
Daugkart.: 500
Reel: 500

Si Reel