Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

GP2T030A170H

Name: SemiQ GP2T030A170H
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP2T030A170H
Price: 24.28 EUR
Availability: OutOfStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

148-GP2T030A170H

Mfr. #:

GP2T030A170H

Gam.:

SemiQ

Aprašymas:

SiC MOSFET SiC MOSFET 1700V, 30mohm TO-247-4L, Industrial

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

Duomenų Lapas:

GP2T030A170H Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie SemiQ GP2T030A170H

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: Ne Sandėlyje Esantys

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: Prašyti Pristatymo Pasiūlymo

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	24,28 €	24,28 €
	17,75 €	177,50 €
	17,20 €	2 064,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	SemiQ
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
RoHS:
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-247-4
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.7 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	83 A
RDS On - Drain-Source Varža:	36 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	2.7 V
Qg – vartų krūvis:	233 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	564 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekės Ženklas:	SemiQ
Configuration:	Single
Gamybos šalis:	Not Available
Distribucijos šalis:	Not Available
Kilmės šalis:	PH
Rudens laikas:	21 ns
Pakavimas:	Tube
Gaminys:	SiC MOSFETS
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Kilimo Laikas:	8 ns
Serija:	GP2T
Gamyklinės pakuotės kiekis:	30
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	SiC
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	48 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	19 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

GP2T030A170H Duomenų Lapas (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

GP2T030A170 QSiC™ 1700V SiC MOSFET

SemiQ GP2T030A170 QSiC™ 1700V SiC MOSFET is engineered for medium-voltage high-power conversion applications, enabling more compact system designs at a large scale with lower system costs and higher power densities. This high-speed, switching planar D-MOSFET offers a reliable body diode that operates up to +175°C. The module is tested beyond 1900V and UIL avalanche tested to 600mJ. The series delivers low switching and conduction losses and low capacitance. The 1700V device also features a rugged gate oxide for long-term reliability and undergoes wafer-level burn-in (WLBI) to screen out potentially weak oxide devices. SemiQ GP2T030A170 QSiC 1700V SiC MOSFET is a four-pin TO-247-4L-packaged discrete with drain, source, driver source, and gate pins. Applications include solar inverters, electric vehicle (EV) charging stations, and motor drives.