Rezultatai: 5
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Tranzistoriaus poliškumas Kanalų skaičius Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa svar. – nuolatinio išleidimo srovė RDS On - Drain-Source Varža Vgs - užtūros-šaltinio įtampa Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa Qg – vartų krūvis Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pd - skaidos galia Kanalas Mode Prekinis pavadinimas Pakavimas
Infineon Technologies MOSFETs 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET 11 660Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 4 000

Si SMD/SMT PQFN 2x2 (DFN2020) N-Channel 2 Channel 20 V 4.5 A 45 mOhms - 12 V, 12 V 1.8 V 3.1 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg 2 351Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 280 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 160 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC 8 186Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 4 000

Si SMD/SMT PQFN 2x2 (DFN2020) N-Channel 2 Channel 30 V 3.6 A 63 mOhms - 12 V, 12 V 1.8 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable 3 324Prieinamumas
3 000Tikėtina 2026-03-04
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 30 V 8.3 A 17.5 mOhms - 12 V, 12 V 1.8 V 11 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement HEXFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 250V 60A 33mOhm 99nC Qg
5 967Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 60 A 33 mOhms - 30 V, 30 V 1.8 V 99 nC - 55 C + 175 C 390 W Enhancement Tube