Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

NVHL027N65S3F

Name: onsemi NVHL027N65S3F
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL027N65S3F
Price: 17.8 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

863-NVHL027N65S3F

Mfr. #:

NVHL027N65S3F

Gam.:

onsemi

Aprašymas:

MOSFETs SUPERFET3 650V TO247 PKG

Duomenų Lapas:

NVHL027N65S3F Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie onsemi NVHL027N65S3F

Prieinamumas: 223

Turime sandėlyje:: 223 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 17 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	17,80 €	17,80 €
	11,61 €	116,10 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	onsemi
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-247-3
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	650 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	75 A
RDS On - Drain-Source Varža:	27.4 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 30 V, 30 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	3 V
Qg – vartų krūvis:	227 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	595 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Kvalifikacija:	AEC-Q101
Prekinis pavadinimas:	SuperFET III
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	onsemi
Configuration:	Single
Gamybos šalis:	Not Available
Distribucijos šalis:	Not Available
Kilmės šalis:	KR
Rudens laikas:	42 ns
Tiesioginis laidumas - min:	57 S
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	59 ns
Serija:	SuperFET3
Gamyklinės pakuotės kiekis:	30
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	147 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	46 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel
Vieneto Svoris:	6 g

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

NVHL027N65S3F Duomenų Lapas

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.

NVHL027N65S3F 650V 75A SUPERFET® III Power MOSFET

onsemi NVHL027N65S3F 650V 75A SUPERFET^® III Power MOSFET is a high-voltage AEC-Q101 qualified Super-Junction (SJ) MOSFET utilizing Charge Balance technology for outstanding low on-resistance and low gate charge performance. Charge Balance technology minimizes conduction loss, providing superior switching performance and enabling the ability to withstand extreme dV/dt rates. The NVHL027N65S3F SUPERFET III MOSFET is ideal for power systems requiring miniaturization and high efficiency. The NVHL027N65S3F also features optimized reverse recovery body diode performance, resulting in fewer required additional components and improved system reliability.