High Voltage Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs

IXYS High Voltage Series 2500V to 3600V Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs combine the strength of both MOSFETs and IGBTs. These high-voltage devices feature a positive voltage temperature coefficient of both of its saturation voltage and the forward voltage drop of its intrinsic diode, making them ideal for parallel operation. The “free” intrinsic body diode serves as a protection diode, providing an alternative path for the inductive load current during device turn-off, preventing high Ldi/dt voltage transients from inflicting damage to the device.

Tranzistorių tipai
Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 18
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS Gaminio tipas
Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
IXYS IGBT TO268 3KV 42A IGBT
Duomenų Lapas
2 747Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS IGBT TO247 3KV 12A IGBT
Duomenų Lapas
290Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS IGBT Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
Duomenų Lapas
281Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS IGBT PLUS247 2500V 25A IGBT
Duomenų Lapas
199Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3


IXYS IGBT Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
Duomenų Lapas
121Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBT TO268 3KV 12A BIMOSFET
Duomenų Lapas
277Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS IGBT TO268 2500V 2A IGBT
Duomenų Lapas
683Prieinamumas
420Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-247-3
IXYS IGBT 3600V/125A Reverse Conducting IGBT
Duomenų Lapas
297Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-HV-3
IXYS IGBT TO247 2500V 42A HI GAIN
Duomenų Lapas
124Prieinamumas
300Tikėtina 2026-08-19
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBT TO264 3KV 55A BIMOSFET
Duomenų Lapas
1 275Tikėtina 2026-06-22
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBT Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-3
IXYS IGBT ISOPLUS 3KV 22A IGBT
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 54 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-3
IXYS MOSFETs ISOPLUS 3KV 24A DIODE
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 54 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 25

MOSFETs Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3
IXYS IGBT High Voltage High Gain BIMOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 54 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-PAC-3
IXYS IGBT TO247 3KV 10A IGBT
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 54 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBT BIMOSFET 2500V 75A
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 80 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBT 3600V/92A Rev Conducting IGBT
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 25
Daugkart.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i5-PAC-3
IXYS IGBT MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 54 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i5-PAC-3