Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

NVBG070N120M3S

Name: onsemi NVBG070N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG070N120M3S
Price: 13.24 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

863-NVBG070N120M3S

Mfr. #:

NVBG070N120M3S

Gam.:

onsemi

Duomenų Lapas:

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Turime sandėlyje:: 1 558 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 21 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	onsemi
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	D2PAK-7
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.2 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	25 A
RDS On - Drain-Source Varža:	87 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4.4 V
Qg – vartų krūvis:	57 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	172 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	EliteSiC
Prekės Ženklas:	onsemi
Configuration:	Single
Gamybos šalis:	CN
Distribucijos šalis:	KR
Kilmės šalis:	CN
Rudens laikas:	8.8 ns
Tiesioginis laidumas - min:	12 S
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Kilimo Laikas:	12 ns
Serija:	NVBG070N120M3S
Gamyklinės pakuotės kiekis:	800
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	SiC
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	30 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	11 ns