Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

GCMS040B120S1-E1

Name: SemiQ GCMS040B120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMS040B120S1-E1
Price: 25.08 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

148-GCMS040B120S1-E1

Mfr. #:

GCMS040B120S1-E1

Gam.:

SemiQ

Aprašymas:

MOSFET moduliai 1200V SiC COPACK Power Module

Duomenų Lapas:

GCMS040B120S1-E1 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie SemiQ GCMS040B120S1-E1

Prieinamumas: 5

Turime sandėlyje:: 5 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	25,08 €	25,08 €
	19,05 €	190,50 €
	16,73 €	1 673,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	SemiQ
Gaminio kategorija:	MOSFET moduliai
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologijos:	SiC
Montavimo stilius:	Screw Mount
Pakuotė / Korpusas:	SOT-227-4
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.2 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	57 A
RDS On - Drain-Source Varža:	52 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4 V
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	242 W
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	SemiQ
Rudens laikas:	16 ns
Gaminio tipas:	MOSFET Modules
Kilimo Laikas:	5 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	10
Subkategorija:	Discrete and Power Modules
Tipas:	COPACK Power Module
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	21 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	15 ns
Vf - tiesioginė įtampa:	1.52 V

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

GCMS040B120S1-E1 Duomenų Lapas (PDF)

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.

GCMS040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module

SemiQ GCMS040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module is simple to drive, very rugged, and easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs. The GCMS040B120S1-E1 supplies freewheeling SiC SBD with zero reverse recovery. The device provides low switching losses and junction-to-case thermal resistance. The SemiQ GCMS040B120S1-E1 Power Module offers a low Q_RR at high temperatures and allows direct mounting to the heatsink in an isolated package.