TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5) IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5) IGBTs are high-speed and designed with ultimate efficiency for applications switching faster than 30kHz. The High Speed 5 IGBTs feature TRENCHSTOP™ 5 technology and are co-packed with a RAPID 1 fast and soft antiparallel diode. Infineon H5 IGBTs offer leading efficiency in hard switching and resonant topologies and are a plug-and-play replacement for previous generation IGBTs. Typical applications include UPS, welding converters, solar string inverters, and mid- to high-range switching frequency converters.

Diskrečiųjų puslaidininkių tipai
Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 15
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS Gaminio tipas
Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
Duomenų Lapas
1 425Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
Duomenų Lapas
1 280Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Duomenų Lapas
615Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Duomenų Lapas
279Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
Duomenų Lapas
382Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode
Duomenų Lapas
710Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
Duomenų Lapas
595Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies Igbt Moduliai 650 V, 40 A 3-level IGBT module
Duomenų Lapas
8Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBT 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Duomenų Lapas
480Tikėtina 2026-07-09
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 40 Savaičių
Min.: 240
Daugkart.: 240

IGBT Transistors Si Through Hole
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 40 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4