Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes

Infineon Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes deliver market-leading efficiency at an attractive cost point. Infineon’s proprietary diffusion soldering process, already introduced with Generation 3, is now combined with a new, more compact design as well as the latest advancements in thin wafer technology, bringing improved thermal characteristics and lower Figures of Merit (Qc x Vf).

Rezultatai: 9
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Configuration
Jei – tiesioginė srovė
Vrrm - pasikartojanti atvirkštinė įtampa
Vf - tiesioginė įtampa
Ifsm – tiesioginė viršįtampio srovė
IR - Atvirkštinė Srovė
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Serija
Pakavimas
Infineon Technologies SiC SCHOTTKY diodai SIC DIODES
Duomenų Lapas
2 334Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 16 A 650 V 1.5 V 124 A 850 nA - 55 C + 175 C XDH16G65 Tube
Infineon Technologies SiC SCHOTTKY diodai SIC DIODES
Duomenų Lapas
2 552Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 6 A 650 V 1.5 V 54 A 300 nA - 55 C + 175 C XDH06G65 Tube
Infineon Technologies SiC SCHOTTKY diodai SIC DIODES
Duomenų Lapas
2 693Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 4 A 650 V 1.5 V 38 A 200 nA - 55 C + 175 C XDH04G65 Tube

Infineon Technologies SiC SCHOTTKY diodai SIC DIODES
Duomenų Lapas
540Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 Single 40 A 650 V 1.5 V 182 A 2.2 uA - 55 C + 175 C XDW40G65 Tube

Infineon Technologies SiC SCHOTTKY diodai SIC DIODES
Duomenų Lapas
750Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 Single 20 A 650 V 1.5 V 103 A 1.1 uA - 55 C + 175 C XDW20G65 Tube

Infineon Technologies SiC SCHOTTKY diodai SIC DIODES
Duomenų Lapas
187Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 Single 40 A 650 V 1.5 V 182 A 2.2 uA - 55 C + 175 C XDW40G65 Tube
Infineon Technologies SiC SCHOTTKY diodai SIC DIODES
Duomenų Lapas
335Prieinamumas
500Tikėtina 2026-04-06
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 10 A 650 V 1.5 V 82 A 500 nA - 55 C + 175 C XDH10G65 Tube

Infineon Technologies SiC SCHOTTKY diodai SIC DIODES
Duomenų Lapas
242Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 Single 12 A 650 V 1.5 V 71 A 600 nA - 55 C + 175 C XDW12G65 Tube
Infineon Technologies SiC SCHOTTKY diodai SIC DIODES
Duomenų Lapas
540Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 650 V 1.5 V 68 A 400 nA - 55 C + 175 C XDH08G65 Tube