TP65H070G4RS-TR

Renesas Electronics
227-TP65H070G4RS-TR
TP65H070G4RS-TR

Gam.:

Aprašymas:
GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TOLT

Eksploatacijos Laikotarpis:
"Mouser Naujiena"
Duomenų Lapas:
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.
Daugiau informacijos
Sužinokite daugiau apie Renesas Electronics TP65H070G4RS-TR

Prieinamumas: 1 696

Turime sandėlyje:
1 696 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
16 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
6,85 € 6,85 €
4,66 € 46,60 €
3,59 € 359,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 1300)
3,06 € 3 978,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Renesas Electronics
Gaminio kategorija: GaN FET
RoHS:  
SMD/SMT
TOLT-16
N-Channel
1 Channel
650 V
29 A
85 mOhms
- 20 V, + 20 V
4.8 V
9 nC
- 55 C
+ 150 C
96 W
Enhancement
SuperGaN
Prekės Ženklas: Renesas Electronics
Configuration: Single
Rudens laikas: 7.2 ns
Jautrus drėgmei: Yes
Pakavimas: Reel
Pakavimas: Cut Tape
Gaminio tipas: GaN FETs
Kilimo Laikas: 6.2 ns
Serija: Gen IV SuperGaN
Gamyklinės pakuotės kiekis: 1300
Subkategorija: Transistors
Technologijos: GaN
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 56 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 43.4 ns
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Duomenų Lapas

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

CNHTS:
8541290000
ECCN:
EAR99

TP65H070G4RS 650V SuperGaN® FET in TOLT

Renesas Electronics TP65H070G4RS 650V SuperGaN® FET in TOLT features an on-resistance RDS(on) of 72mΩ typical in a top-side-cooled, surface-mount TOLT package that meets the JEDEC standard MO-332. The TOLT package offers thermal management flexibility, especially in systems that do not allow for conventional surface-mount devices with bottom-side cooling. The TP65H070G4RS is a normally-off device that combines low-voltage silicon MOSFET and high-voltage GaN HEMT technologies to deliver superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform leverages advanced epitaxial (epi) and patented design technologies to streamline manufacturability and enhance efficiency compared to silicon. It achieves this by reducing gate charge, crossover loss, output capacitance, and reverse recovery charge. Renesas Electronics TP65H070G4RS 650V SuperGaN TOLT FET is ideal for datacom, industrial, computing, and other applications.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

Įvyko netikėta klaida.


Turite klausimų? Apsilankykite pagalbos centre.
Jei turite klausimų apie konkretų užsakymą, prisijunkite prie savo paskyros.

Jei susidūrėte su papildomomis problemomis, susisiekite su mumis tel. Nr. 800-346-6873 arba el. paštu help@mouser.com.