OptiMOS™ 7 100V Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100V Automotive Power MOSFETs are advanced N‑channel devices engineered for high-efficiency power switching in modern vehicle architectures. Built on the OptiMOS™ 7 technology, these 100V MOSFETs deliver very low on-resistance, fast switching behavior, and high avalanche capability, enabling reduced conduction and switching losses while maintaining strong ruggedness and thermal performance. These features support high-power-density designs in compact packages, well-suited for demanding automotive environments that require reliability, efficiency, and consistent operation.

Rezultatai: 2
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Pakavimas
Infineon Technologies MOSFETs 100 V, N-Ch, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7)
Duomenų Lapas
4 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT LHDSO-10 N-Channel 1 Channel 100 V 27 A 28.6 mOhms 20 V 2 V 9 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs 100 V, N-Ch, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7)
Duomenų Lapas
2 000Tikėtina 2026-07-02
Min.: 2 000
Daugkart.: 2 000
: 2 000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10 N-Channel 1 Channel 100 V 206 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 93 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement Reel