1200V Dual IGBT Modules

Infineon 1200V, Dual IGBT Modules, are EconoDUAL™ 3 1200V, 900A dual TRENCHSTOP™ IGBT7 Modules with emitter-controlled 7 diodes, NTC, and PressFIT contact technology. The IGBT Modules offer a higher inverter output current for the same frame size and avoidance of paralleling. The Infineon 1200V, Dual IGBT Modules, provide an easy and reliable assembly with high inter-connection reliability.

Rezultatai: 11
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Gaminys
Configuration
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C
Užtvaro sklaidos įrenginio nuotėkio srovė
Pd - skaidos galia
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pakavimas
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 900 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
6Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 450 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
17Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF450R07ME4B11BPSA1
Infineon Technologies Igbt Moduliai 650 V, 450 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
9Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 650 V 1.55 V 560 A 100 nA 1.45 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai MEDIUM POWER 62MM
Duomenų Lapas
20Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai MEDIUM POWER 62MM
Duomenų Lapas
12Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 600 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
19Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 995 A 400 nA 4.05 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 600 A dual IGBT Module
Duomenų Lapas
12Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 400 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 600 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
18Prieinamumas
20Tikėtina 2026-05-06
Min.: 1
Daugkart.: 1

Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 900 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
10Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 750 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 10
Daugkart.: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP100R12N3T7BPSA1
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 100 A PIM IGBT module
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Tray