TK2R9E10PL,S1X

Toshiba
757-TK2R9E10PLS1X
TK2R9E10PL,S1X

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs Power MOSFET ID=240A VDSS=100V

Duomenų Lapas:
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.
Daugiau informacijos
Sužinokite daugiau apie Toshiba TK2R9E10PL,S1X

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Toshiba
Gaminio kategorija: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
240 A
2.4 mOhms
20 V
1.5 V
161 nC
- 55 C
+ 175 C
306 W
Enhancement
U-MOSIX-H
Tube
Prekės Ženklas: Toshiba
Configuration: Single
Rudens laikas: 46 ns
Gaminio tipas: MOSFETs
Kilimo Laikas: 22 ns
Serija: TK2R9E10PL
Gamyklinės pakuotės kiekis: 50
Subkategorija: Transistors
Vieneto Svoris: 2 g
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

Reglamentavimo kodai
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Klasifikacija pagal kilmę
Kilmės šalis:
Kinija
Šalis, kurioje pagaminta:
Ne
Distribucijos šalis:
Ne
Šalis gali keistis siuntimo metu.

U-MOSIX-H MOSFETs

Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are high-efficiency MOSFETs that are specifically designed for use in the secondary side of AC-DC power supplies. This includes notebook PC adapters, game consoles, servers, desktop PCs, and flat-panel displays. It also includes DC-DC power supplies for communication equipment, servers, and data centers. The MOSFETs feature high-speed switching, small gate charge, and low drain-source on-resistance. These MOSFETs are fabricated with the Gen-8 and Gen-9 trench MOS processes. Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage MOSFETs will help improve the efficiency of power supplies.

TK2R9E10PL Silicon N-channel MOSFET

Toshiba TK2R9E10PL Silicon N-channel MOSFET is a high-speed switching device with a small gate charge of 48nC. The device features a small output charge of 164nC. Toshiba TK2R9E10PL also has a low drain-source on-resistance RDS(ON) of 2.4mΩ and low leakage current.

Prieinamumas: 641

Turime sandėlyje:
641 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
24 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
3,84 € 3,84 €
2,25 € 22,50 €
2,12 € 212,00 €
1,75 € 875,00 €
1,44 € 1 440,00 €
1,34 € 3 350,00 €
1,22 € 6 100,00 €

Įvyko netikėta klaida.


Turite klausimą? Prašome apsilankyti pagalbos centre.
Jei turite klausimų dėl konkretaus užsakymo, prisijunkite prie savo paskyros.

Jei susidursite su kitomis problemomis, prašome susisiekti su mumis 800-346-6873 arba parašyti el. laišką adresu help@mouser.com.