Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

SIHR080N60E-T1-GE3

Name: Vishay SIHR080N60E-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHR080N60ET1GE3
Price: 6.32 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

78-SIHR080N60ET1GE3

Mfr. #:

SIHR080N60E-T1-GE3

Gam.:

Vishay / Siliconix

Aprašymas:

MOSFETs N-CHANNEL 600V

Duomenų Lapas:

SIHR080N60E-T1-GE3 Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Vishay / Siliconix SIHR080N60E-T1-GE3

Prieinamumas: 2 167

Turime sandėlyje:: 2 167 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	6,32 €	6,32 €
	4,42 €	44,20 €
	3,36 €	336,00 €
	3,18 €	3 180,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 2000)
	3,18 €	6 360,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Vishay
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	PowerPAK-8
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	600 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	51 A
RDS On - Drain-Source Varža:	74 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 30 V, 30 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	5 V
Qg – vartų krūvis:	42 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	500 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	PowerPAK
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Prekės Ženklas:	Vishay / Siliconix
Configuration:	Single
Gamybos šalis:	Not Available
Distribucijos šalis:	Not Available
Kilmės šalis:	CN
Rudens laikas:	31 ns
Tiesioginis laidumas - min:	4.6 S
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	96 ns
Serija:	SIHR E
Gamyklinės pakuotės kiekis:	2000
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	37 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	31 ns

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

SIHR080N60E-T1-GE3 Duomenų Lapas

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiHR080N60E N kanalo galios MOSFET

„Vishay / Siliconix” SiHR080N60E N kanalo galios MOSFET yra ketvirtosios kartos 600 V E serijos galios MOSFET „PowerPAK”® 8 x 8LR pakuotėje. MOSFET užtikrina didesnį efektyvumą ir galios tankį telekomunikacijų, pramonės ir kompiuterijos srityse. SiHR080N60E pasižymi maža tipine įjungimo varža – 0,074Ω 10 V ir itin maža užtūros įkrova – iki 42 nC, todėl sumažėja laidumo ir perjungimo nuostoliai, o tai taupo energiją ir didina efektyvumą >2 kW galios sistemose. Pakuotėje taip pat yra Kelvino jungtis, užtikrinanti didesnį perjungimo efektyvumą. „Vishay / Siliconix” SiHR080N60E yra suprojektuotas taip, kad lavininiu režimu atlaikytų pereinamuosius viršįtampius su garantuotomis ribomis atliekant 100 % UIS bandymus.