Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

SCT4018KRC15

Name: ROHM Semiconductor SCT4018KRC15
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4018KRC15
Price: 29.05 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

755-SCT4018KRC15

Mfr. #:

SCT4018KRC15

Gam.:

ROHM Semiconductor

Aprašymas:

SiC MOSFET TO247 1.2KV 81A N-CH SIC

Duomenų Lapas:

SCT4018KRC15 Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie ROHM Semiconductor SCT4018KRC15

Prieinamumas: 226

Turime sandėlyje:: 226 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 27 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	29,05 €	29,05 €
	22,68 €	226,80 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	ROHM Semiconductor
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
RoHS:
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-247-4
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.2 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	81 A
RDS On - Drain-Source Varža:	23.4 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4.8 V
Qg – vartų krūvis:	170 nC
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	312 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekės Ženklas:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Rudens laikas:	11 ns
Tiesioginis laidumas - min:	22 S
Pakavimas:	Tube
Gaminys:	MOSFET's
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Kilimo Laikas:	21 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	450
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	SiC
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	50 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	13 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	SCT4018KR

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

SCT4018KRC15 Duomenų Lapas

Specification Sheets

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

Reglamentavimo kodai

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Klasifikacija pagal kilmę

Kilmės šalis:: Tailandas
Šalis, kurioje pagaminta:: Ne
Distribucijos šalis:: Ne

Šalis gali keistis siuntimo metu.

4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.

SCT4018KR N-Channel SiC Power MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4018KR N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET is a robust device optimized for high-efficiency power conversion in demanding applications. With a drain-source voltage rating of 1200V and a continuous drain current of 81A (at +25°C), the ROHM SCT4018KR delivers excellent performance in high-voltage environments. The device features a low typical on-resistance of 18mΩ and supports fast switching speeds, which significantly reduce switching losses and improve overall system efficiency. Housed in a TO-247-4L package, the SCT4018KR is well-suited for use in industrial power supplies, solar inverters, and motor drives. Leveraging the advantages of SiC technology, the SCT4018KR MOSFET offers superior thermal conductivity, high-temperature operation, and enhanced reliability, making it ideal for compact, high-performance power systems.

AEC-Q101 SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Power MOSFETs are ideal for automotive and switch-mode power supplies. The SiC Power MOSFETs can boost switching frequency, decreasing the volumes of capacitors, reactors, and other components required. AEC-Q101 SiC Power MOSFETs offer excellent reductions in size and weight within various drive systems, such as inverters and DC-DC converters in vehicles. Vehicle batteries are trending towards larger capacities with shorter charging times. This demands high power and efficiency on board chargers such as 11kW and 22kW. This leads to increased adoption of SiC MOSFETs. The AEC-Q101 SiC Power MOSFETs meet the needs of electronic vehicles and utilize a trench gate structure. The future design of ROHM's SiC MOSFETs endeavors to improve quality, strengthen its lineup to increase device performance, reduce power consumption, and achieve greater miniaturization.