Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

RF4G100BGTCR

Name: ROHM Semiconductor RF4G100BGTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RF4G100BGTCR
Price: 1.18 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

755-RF4G100BGTCR

Mfr. #:

RF4G100BGTCR

Gam.:

ROHM Semiconductor

Aprašymas:

MOSFETs DFN2020 N-CH 40V 10A

Duomenų Lapas:

RF4G100BGTCR Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie ROHM Semiconductor RF4G100BGTCR

Prieinamumas: 8 342

Turime sandėlyje:: 8 342 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 16 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	1,18 €	1,18 €
	0,743 €	7,43 €
	0,492 €	49,20 €
	0,384 €	192,00 €
	0,349 €	349,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)
	0,305 €	915,00 €
	0,283 €	1 698,00 €
	0,278 €	2 502,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	ROHM Semiconductor
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	DFN-2020-8
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	40 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	10 A
RDS On - Drain-Source Varža:	14.2 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 20 V, 20 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	2.5 V
Qg – vartų krūvis:	10.6 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	2 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Prekės Ženklas:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Rudens laikas:	4.5 ns
Tiesioginis laidumas - min:	5.2 S
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	6.5 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	3000
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	21 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	8.5 ns
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	RF4G100BG

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

RF4G100BGTCR Duomenų Lapas

Specification Sheets

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RF4G100BG N-Channel Power MOSFET

ROHM Semiconductor RF4G100BG N-Channel Power MOSFET is a 40V, 10A MOSFET featuring a low 14.2mΩ on-resistance, making it ideal for switching applications. The RF4G100BG has a 27ns (typical) reverse recovery time and an 18nC (typical) reverse recovery charge. Power dissipation for the device is 2.0W, and it features a wide -55℃ to +150℃ operating junction and storage temperature range.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.