STD80N450K6

STMicroelectronics
511-STD80N450K6
STD80N450K6

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 816

Turime sandėlyje:
816 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
13 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Pakuotė:
Visa Ritė (Užsakoma po 2500)

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“
3,59 € 3,59 €
2,36 € 23,60 €
1,76 € 176,00 €
1,57 € 785,00 €
1,34 € 1 340,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 2500)
1,26 € 3 150,00 €
† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami.

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
STMicroelectronics
Gaminio kategorija: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
10 A
450 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
17.3 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Prekės Ženklas: STMicroelectronics
Configuration: Single
Rudens laikas: 12.7 ns
Gaminio tipas: MOSFETs
Kilimo Laikas: 4 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis: 2500
Subkategorija: Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 28.8 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 10.6 ns
Vieneto Svoris: 330 mg
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.

STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6 Power MOSFET

STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6 Power MOSFET is a high voltage N-channel Power MOSFET featuring Zener protection and 100% avalanche. This MOSFET also features ultra-low gate charge, ±30V gate-source voltage, 83W total power dissipation, worldwide RDS(ON) x area, and worldwide Figure Of Merit (FOM). The MOSFET operates from -55°C to 150°C junction temperature range and is available in DPAK (TO-252) type A2 package. Typical applications include flyback converters, LED lighting, and adapters for tablets, and notebooks.