{Raktažodis} {Gamintojas} {Pavadinimas} {Serija} {Dalis} {Patikslinimai} {Šablonas} {Subkategorija}

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Rezultatai: 8

Taikyti filtrai:

svar. – nuolatinio išleidimo srovė

RDS On - Drain-Source Varža

Qg – vartų krūvis

Pd - skaidos galia

Nustatyti Viską Iš Naujo

Paieška rezultatuose

Prieinamumas

Įprastai sandėliuojama

Aktyvus

Nauji produktai

Atitinka PMNA

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Vaizdas	Dalies Nr.	Gam.	Aprašymas	Duomenų Lapas	Prieinamumas	Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.	Qty.	Montavimo stilius	Pakuotė / Korpusas	Kanalų skaičius	Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa	svar. – nuolatinio išleidimo srovė	RDS On - Drain-Source Varža	Vgs - užtūros-šaltinio įtampa	Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa	Qg – vartų krūvis	Minimali darbinė temperatūra	Didžiausia darbinė temperatūra	Pd - skaidos galia	Kanalas Mode	Prekinis pavadinimas
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2 IMZC120R017M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 17,96 € 382Prieinamumas 720Pagal užsakymą Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMZC120R017M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZC120R017M2HXK Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	382Prieinamumas 720Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMZC120R017M2HXKSA1 Turime sandėlyje: 382 Galime išsiųsti iš karto Pagal užsakymą: 240 Tikėtina 2026-10-22 480 Tikėtina 2026-11-05 Gamintojo numatytas pristatymo laikas 60 Savaičių	17,96 € 12,97 € 11,27 € 10,76 € Pasiūlymas Pasiūlymas	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	97 A	17 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	89 nC	- 55 C	+ 175 C	382 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2 IMZC120R022M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 15,94 € 1 335Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMZC120R022M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZC120R022M2HXK Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	1 335Prieinamumas	15,94 € 10,97 € 9,48 € 8,83 € 8,42 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	80 A	22 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	71 nC	- 55 C	+ 175 C	329 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2 IMZC120R034M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 10,78 € 683Prieinamumas 240Tikėtina 2026-10-19 Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMZC120R034M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZC120R034M2HXK Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	683Prieinamumas 240Tikėtina 2026-10-19	10,78 € 5,96 € 5,64 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	55 A		- 10 V, + 25 V	5.1 V	45 nC	- 55 C	+ 175 C	244 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2 IMZC120R053M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 8,74 € 632Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMZC120R053M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZC120R053M2HXK Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	632Prieinamumas	8,74 € 4,72 € 4,36 € 4,35 € 4,28 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	38 A	53 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	30 nC	- 55 C	+ 175 C	182 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2 IMZC120R012M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 22,89 € 9Prieinamumas 960Pagal užsakymą Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMZC120R012M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZC120R012M2HXK Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	9Prieinamumas 960Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMZC120R012M2HXKSA1 Turime sandėlyje: 9 Galime išsiųsti iš karto Pagal užsakymą: 480 Tikėtina 2027-01-28 240 Tikėtina 2027-08-05 240 TBD Gamintojo numatytas pristatymo laikas 60 Savaičių	22,89 € 14,67 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	129 A	12 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	124 nC	- 55 C	+ 175 C		Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2 IMZC120R026M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 13,42 € 18Prieinamumas 960Pagal užsakymą Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMZC120R026M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZC120R026M2HXK Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	18Prieinamumas 960Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMZC120R026M2HXKSA1 Turime sandėlyje: 18 Galime išsiųsti iš karto Pagal užsakymą: 240 Tikėtina 2026-10-20 240 Tikėtina 2027-01-28 480 Tikėtina 2027-05-06 Gamintojo numatytas pristatymo laikas 60 Savaičių	13,42 € 7,66 € 7,13 € 7,10 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	69 A	25 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	124 nC	- 55 C	+ 175 C	289 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2 IMZC120R078M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 8,18 € 5Prieinamumas 960Pagal užsakymą Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMZC120R078M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZC120R078M2HXK Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	5Prieinamumas 960Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMZC120R078M2HXKSA1 Turime sandėlyje: 5 Galime išsiųsti iš karto Pagal užsakymą: 240 Tikėtina 2027-08-19 720 Tikėtina 2027-08-26 Gamintojo numatytas pristatymo laikas 60 Savaičių	8,18 € 4,39 € 4,05 € 3,62 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	28 A	78 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	21 nC	- 55 C	+ 175 C	143 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2 IMZC120R040M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 10,63 € 1 992Pagal užsakymą Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMZC120R040M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZC120R040M2HXK Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	1 992Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMZC120R040M2HXKSA1 Turime sandėlyje: 0 Pagal užsakymą: 480 Tikėtina 2026-10-08 960 Tikėtina 2026-10-16 240 Tikėtina 2026-11-12 312 Tikėtina 2026-11-15 Gamintojo numatytas pristatymo laikas 53 Savaičių	10,63 € 5,98 € 5,46 € 5,23 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	48 A	40 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	39 nC	- 55 C	+ 175 C	218 W	Enhancement	CoolSiC

Taikyti filtrai:

klientų aptarnavimas

Įmonė

Ištekliai

Pagalba