NVXK2VR40WXT2

onsemi
863-NVXK2VR40WXT2
NVXK2VR40WXT2

Gam.:

Aprašymas:
MOSFET moduliai APM32 SIC POWER MODULE

Eksploatacijos Laikotarpis:
"Mouser Naujiena"
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 573

Turime sandėlyje:
573 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
16 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
75,29 € 75,29 €
65,33 € 653,30 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
onsemi
Gaminio kategorija: MOSFET moduliai
RoHS:  
SiC
Through Hole
APM-32
N-Channel
6 Channel
1.2 kV
55 A
59 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
- 55 C
+ 175 C
319 W
NVXK2VR40WXT2
Tube
Prekės Ženklas: onsemi
Configuration: 3-Phase Bridge
Rudens laikas: 9 ns
Aukštis: 5.8 mm
Ilgis: 44.2 mm
Gaminio tipas: MOSFET Modules
Kilimo Laikas: 20 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis: 10
Subkategorija: Discrete and Power Modules
Tipas: Power Module
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 30 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 17 ns
Plotis: 29 mm
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Reglamentavimo kodai
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8542391010
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Klasifikacija pagal kilmę
Kilmės šalis:
Kinija
Šalis, kurioje pagaminta:
Kinija
Distribucijos šalis:
Pietų Korėja
Šalis gali keistis siuntimo metu.

NVXK2TR40WXT Silicon Carbide (SiC) Module

onsemi NVXK2TR40WXT Silicon Carbide (SiC) Module is a 1200V, 40mΩ, and 27A dual half-bridge EliteSiC power module housed in a APM32 Dual Inline Package (DIP). This SiC module is compactly designed to have a low total module resistance. The NVXK2TR40WXT power module is automotive-qualified per AEC-Q101 and AQG324. This power module is lead-free, ROHS, and UL94V-0 compliant. The NVXK2TR40WXT EliteSiC MOSFET power module is ideally used in DC-DC and onboard chargers in xEV applications.

NVXK2VR40WXT2 Silicon Carbide (SiC) Module

onsemi NVXK2VR40WXT2 Silicon Carbide (SiC) Module is a 1200V, 40mΩ, and 55A 3-phase bridge power module housed in a Dual Inline Package (DIP). This SiC module is compactly designed to have a low total module resistance. The NVXK2VR40WXT2 power module is automotive-qualified per AEC-Q101 and AQG324. This power module is lead-free, ROHS, and UL94V-0 compliant. The NVXK2VR40WXT2 SiC module's temperature sensing and the lowest thermal resistance make it ideal for DC-DC and onboard chargers in xEV applications.