LMG341xR150 GaN FET

„Texas Instruments” LMG341xR150 GaN FET su integruota tvarkykle ir apsauga leidžia projektuotojams pasiekti naują galios tankio ir efektyvumo lygį maitinimo elektronikos sistemose. LMG341xR150 GaN FET pasižymi itin maža įėjimo ir išėjimo talpa, nuliniu grįžtamuoju atstatymu, kad perjungimo nuostoliai sumažėtų net 80 %, ir mažu komutacinio mazgo skambėjimu siekiant sumažinti EMI. Šios savybės leidžia kurti tankiai ir efektyviai veikiančias topologijas, pavyzdžiui, toteminio stulpo PFC.