650 V Silicio Karbido Galios MOSFET

Wolfspeed 650 V Silicio Karbido Galios MOSFET pasižymi mažomis įjungimo būsenos varžomis ir mažais perjungimo nuostoliais maksimaliam efektyvumui ir galios tankiui užtikrinti. 650 V MOSFET optimizuoti didelio efektyvumo galios elektronikos reikmėms, įskaitant serverių maitinimo šaltinius, elektromobilių įkrovimo sistemas, energijos kaupimo sistemas, saulės (PV) inverterius, nepertraukiamo maitinimo šaltinius ir akumuliatorių valdymo sistemas. Palyginti su siliciu, "Wolfspeed" 650 V silicio karbido MOSFET užtikrina 75 % mažesnius perjungimo nuostolius, ½ mažesnius laidumo nuostolius ir 3 kartus didesnį galios tankį.

Rezultatai: 20
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 45mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
Duomenų Lapas
1 726Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 650 V 49 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 59 nC - 40 C + 175 C 164 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60m, 650V, TOLL,T&R, Industrial
Duomenų Lapas
1 133Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 650 V 39 A 79 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 131 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
Duomenų Lapas
611Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT 1 Channel 650 V 47 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 61 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 160m, 1200V, TO-263-7, Industrial
Duomenų Lapas
862Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
Duomenų Lapas
812Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 49 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 63 nC - 40 C + 175 C 176 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40m, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial
Duomenų Lapas
644Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 25mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
Duomenų Lapas
772Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

SMD/SMT TOLL-8 1 Channel 650 V 77 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 2.3 V 111 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 45m, 750V, TO-247-4LP, Automotive, Gen4
Duomenų Lapas
257Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4LP 1 Channel 750 V 42 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 65 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60m, 750V, TO-247-4LP, Automotive, Gen4
Duomenų Lapas
327Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4LP 1 Channel 750 V 35 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 175 C 126 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 15m, 650V, TO-247-4, Industrial
Duomenų Lapas
358Prieinamumas
900Tikėtina 2026-09-16
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 120 A 15 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 188 nC - 40 C + 175 C 416 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
Duomenų Lapas
651Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 97 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 108 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET 25 mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
Duomenų Lapas
1 099Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT 1 Channel 650 V 80 A 34 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 109 nC - 40 C + 150 C 271 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
Duomenų Lapas
2 028Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 49 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 63 nC - 40 C + 175 C 176 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60m, 650V, TO-263-7, Industrial
Duomenų Lapas
950Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
Duomenų Lapas
11Prieinamumas
900Tikėtina 2026-09-16
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 97 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 112 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60m, 650V, TO-247-3, Industrial
Duomenų Lapas
240Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 29 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 150 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET 45m, 650V TO-263-7XL, T&R, Industrial
Duomenų Lapas
1Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT 1 Channel 650 V 47 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 61 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 15m, 650V, TO-247-3, Industrial
Duomenų Lapas
450Tikėtina 2026-09-23
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 81 A 15 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 188 nC - 40 C + 175 C 416 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60 m, 650V, TO-247-4, Industrial
Duomenų Lapas
300Tikėtina 2026-10-02
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 37 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 150 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60m, 650V, TO-263-7 T&R, Industrial
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 800
Daugkart.: 800
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement