650 V Silicio Karbido Galios MOSFET

Wolfspeed 650 V Silicio Karbido Galios MOSFET pasižymi mažomis įjungimo būsenos varžomis ir mažais perjungimo nuostoliais maksimaliam efektyvumui ir galios tankiui užtikrinti. 650 V MOSFET optimizuoti didelio efektyvumo galios elektronikos reikmėms, įskaitant serverių maitinimo šaltinius, elektromobilių įkrovimo sistemas, energijos kaupimo sistemas, saulės (PV) inverterius, nepertraukiamo maitinimo šaltinius ir akumuliatorių valdymo sistemas. Palyginti su siliciu, "Wolfspeed" 650 V silicio karbido MOSFET užtikrina 75 % mažesnius perjungimo nuostolius, ½ mažesnius laidumo nuostolius ir 3 kartus didesnį galios tankį.

Rezultatai: 20
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Wolfspeed SiC MOSFET 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
Duomenų Lapas
2 498Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 63 nC - 40 C + 175 C 176 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7, Industrial
Duomenų Lapas
1 014Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-3, Industrial
Duomenų Lapas
644Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 81 A 15 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 188 nC - 40 C + 175 C 416 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
Duomenų Lapas
1 023Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 63 nC - 40 C + 175 C 176 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-263-7, Industrial
Duomenų Lapas
1 168Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
Duomenų Lapas
1 285Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 97 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 108 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
Duomenų Lapas
611Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 61 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial
Duomenų Lapas
694Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 45mohm, 750V, TO-247-4LP, Automotive, Gen4
Duomenų Lapas
267Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 65 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 750V, TO-247-4LP, Automotive, Gen4
Duomenų Lapas
345Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 750 V 35 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 175 C 126 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 25mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
Duomenų Lapas
850Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 77 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 2.3 V 111 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 45mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
Duomenų Lapas
1 906Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 59 nC - 40 C + 175 C 164 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TOLL,T&R, Industrial
Duomenų Lapas
1 193Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 79 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 131 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET 25 mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
Duomenų Lapas
1 679Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 34 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 109 nC - 40 C + 150 C 271 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60 mohm, 650V, TO-247-4, Industrial
Duomenų Lapas
419Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 150 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-4, Industrial
Duomenų Lapas
206Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 15 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 188 nC - 40 C + 175 C 416 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
Duomenų Lapas
602Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 97 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 112 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, T&R, Industrial
Duomenų Lapas
1Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 61 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-247-3, Industrial
Duomenų Lapas
450Tikėtina 2026-02-25
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 150 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-263-7 T&R, Industrial
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement