HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors

STMicroelectronics HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine a very low saturation voltage (down to 1.6V) with a minimal collector current turn-off tail and a maximum operating temperature of 175°C. This enhances the efficiency of high-frequency applications (up to 100kHz) and leverages the advanced proprietary Trench Gate Field-Stop (TGFS) structure.

Tranzistorių tipai
Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 28
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS Gaminio tipas
Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
Duomenų Lapas
2 285Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

SiC MOSFETS SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel


STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
Duomenų Lapas
561Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics IGBT Trench gate H series 650V 80A HiSpd
Duomenų Lapas
308Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
Duomenų Lapas
783Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
Duomenų Lapas
762Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
Duomenų Lapas
217Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT 600V 60A trench gate field-stop IGBT
Duomenų Lapas
696Prieinamumas
3 600Tikėtina 2027-06-25
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
Duomenų Lapas
3 094Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
Duomenų Lapas
238Prieinamumas
1 000Tikėtina 2026-10-09
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
Duomenų Lapas
574Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT 600V 40A trench gate field-stop IGBT
Duomenų Lapas
948Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Duomenų Lapas
690Prieinamumas
1 800Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Duomenų Lapas
493Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
Duomenų Lapas
10Prieinamumas
600Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT
Duomenų Lapas
464Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBT 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
Duomenų Lapas
38Prieinamumas
600Tikėtina 2026-10-30
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT
Duomenų Lapas
1 984Tikėtina 2027-01-01
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
Duomenų Lapas
1 200Tikėtina 2026-10-23
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3


STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
Duomenų Lapas
280Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3PF
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pa
Duomenų Lapas
42Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
STMicroelectronics IGBT 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
Duomenų Lapas
600Tikėtina 2026-09-30
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Duomenų Lapas
1 200Tikėtina 2026-10-17
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 22 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT
Duomenų Lapas
Vykdymo Laikas 22 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 22 Savaičių
Min.: 600
Daugkart.: 600

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3