Standard N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs

IXYS Standard 500V to 1700V N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs are depletion mode MOSFETs that require a negative gate bias to turn off. The modules remain on at or above zero gate bias voltage but otherwise have similar MOSFET-like characteristics. The series is suitable for level shifting, solid-state relays, current regulators, and active loads.

Rezultatai: 5
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Tranzistoriaus poliškumas Kanalų skaičius Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa svar. – nuolatinio išleidimo srovė RDS On - Drain-Source Varža Vgs - užtūros-šaltinio įtampa Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa Qg – vartų krūvis Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pd - skaidos galia Kanalas Mode Pakavimas
IXYS MOSFETs TO247 1.7KV 1A N-CH DEPL 907Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 1 A 16 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 47 nC - 55 C + 150 C 290 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs 0.1 Amps 1000V 110 Rds 436Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 400 mA 80 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 5.8 nC - 55 C + 150 C 25 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs 0.2 Amps 500V 30 Rds 3 739Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 200 mA 30 Ohms - 20 V, 20 V 5 V - 55 C + 150 C 1.1 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs MOSFET N-CH DEPLETN 1000V 100MA TO-25 595Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 100 mA 80 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 5.8 nC - 55 C + 150 C 1.1 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs TO263 1.7KV 1A N-CH DEPL
277Tikėtina 2026-04-30
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT TO-263HV-2 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 1 A 16 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 47 nC - 55 C + 150 C 290 W Depletion Tube