Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

BGAV1A10E6327XTSA1

Name: Infineon BGAV1A10E6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BGAV1A10E6327XTS
Price: 0.34 EUR
Availability: Discontinued

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

726-BGAV1A10E6327XTS

Mfr. #:

BGAV1A10E6327XTSA1

Gam.:

Infineon Technologies

Aprašymas:

RF Stiprintuvas RF SILICON MMIC

Eksploatacijos Laikotarpis:

NRND:

Nerekomenduojama naudoti naujiems projektams.

Duomenų Lapas:

BGAV1A10E6327XTSA1 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Infineon Technologies BGAV1A10E6327XTSA1

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: Ne Sandėlyje Esantys

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: Prašyti Pristatymo Pasiūlymo

Įvesti kiekį:

Min. 4500 Užsakoma po 4500

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
Visa Ritė (Užsakoma po 4500)
	0,347 €	1 561,50 €
	0,335 €	3 015,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Infineon
Gaminio kategorija:	RF Stiprintuvas
RoHS:
Darbinis Dažnis:	3.4 GHz to 3.8 GHz
Darbinė Maitinimo Įtampa:	1.7 V to 1.9 V
Darbinė Maitinimo Srovė:	5 mA
Gain:	22 dB
NF - triukšmo koeficientas:	1.3 dB
Tipas:	Low Noise Amplifiers
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	ATSLP-10-3
Technologijos:	Si
P1dB - suspaudimo taškas:	3 dBm
OIP3 – trečiosios eilės perėmimas:	32 dBm
Minimali darbinė temperatūra:	- 30 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 85 C
Pakavimas:	Reel
Prekės Ženklas:	Infineon Technologies
Įvesties Grįžtamieji Nuostoliai:	13 dB
Izoliacija dB:	32 dB
Kanalų skaičius:	1 Channel
Pd - skaidos galia:	90 mW
Gaminio tipas:	RF Amplifier
Gamyklinės pakuotės kiekis:	4500
Subkategorija:	Wireless & RF Integrated Circuits
Test Dažnis:	3.5 GHz
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	BGA V1A10 E6327 SP001628074
Vieneto Svoris:	2,450 mg

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

BGAV1A10E6327XTSA1 Duomenų Lapas (PDF)

Product Catalogs

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8537109899
CNHTS:: 8542339000
CAHTS:: 8537109920
USHTS:: 8542330001
ECCN:: EAR99

BGAx1A10 LTE LNA with Gain Control

Infineon Technologies BGAx1A10 LTE Low Noise Amplifiers (LNA) with Gain Control are designed to significantly improve the data rate of LTE communications. These BGAx1A10 LNAs feature an integrated gain control, bypass function, high system flexibility, and a low noise figure. The bypass mode reduces current consumption, and the Mobile Industry Processor Interface (MIPI) control interface reduces the control lines to a minimum. The BGAx1A10 LNAs ensures high LTE data rates due to high gain feature and higher system flexibility due to integrated gain control.

Low Noise Amplifier (LNA) ICs

Infineon Technologies Low Noise Amplifier (LNA) ICs boost data rates and reception quality of wireless applications by utilizing a very low-power signal without significant signal-to-noise ratio degradation. The improved receiver sensitivity enhances user experiences and satisfies market requirements. These highly integrated, small-packaged devices come with ESD protection and low power consumption, which is ideal for battery-operated mobile devices. Users of 4G/5G, GPS, Mobile TV, Wi-Fi, and FM portable devices will enjoy high data-rate reception, fast/precise navigation, and smooth, high-quality streaming even in the worst reception conditions.