Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

Grįžti į Paieškos Rezultatus

Matote Klaidą?

CGH09120F

Name: MACOM CGH09120F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGH09120F
Price: 550.78 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

941-CGH09120F

Mfr. #:

CGH09120F

Gam.:

MACOM

Aprašymas:

GaN FET GaN HEMT UHF-2.5GHz, 120 Watt

Duomenų Lapas:

CGH09120F Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie MACOM CGH09120F

Prieinamumas: 7

Turime sandėlyje:: 7 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 26 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	550,78 €	550,78 €
	490,37 €	4 903,70 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	MACOM
Gaminio kategorija:	GaN FET
RoHS:
Montavimo stilius:	Screw Mount
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	120 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	28 A
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	- 3 V
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	56 W
Prekės Ženklas:	MACOM
Configuration:	Single
Gain:	21 dB
Didžiausia santakos vartų įtampa:	28 V
Didžiausias darbinis dažnis:	2.5 GHz
Minimalus darbinis dažnis:	300 MHz
Išvesties Galia:	20 W
Pakavimas:	Tray
Gaminio tipas:	GaN FETs
Gamyklinės pakuotės kiekis:	20
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	GaN
Tranzistoriaus tipas:	GaN HEMT
Vgs - užtūros-šaltinio pramušimo įtampa:	- 10 V, 2 V

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

CGH09120F Duomenų Lapas (PDF)

PCN

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

Reglamentavimo kodai

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Klasifikacija pagal kilmę

Kilmės šalis:: Jungtinės Valstijos
Šalis, kurioje pagaminta:: Ne
Distribucijos šalis:: Ne

Šalis gali keistis siuntimo metu.

CGH09120F GaN High Electron Mobility Transistor

MACOM CGH09120F GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) is designed for high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities. This module allows for a high degree of DPD correction to be applied, making it ideal for MC-GSM, WCDMA, and LTE amplifier applications. This MACOM transistor is housed in a ceramic/metal flange package.