Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

Grįžti į Paieškos Rezultatus

Matote Klaidą?

CGH09120F

Name: MACOM CGH09120F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGH09120F
Price: 550.78 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

941-CGH09120F

Mfr. #:

CGH09120F

Gam.:

MACOM

Aprašymas:

GaN FET GaN HEMT UHF-2.5GHz, 120 Watt

Duomenų Lapas:

CGH09120F Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie MACOM CGH09120F

Prieinamumas: 7

Turime sandėlyje:: 7 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 26 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	550,78 €	550,78 €
	490,37 €	4 903,70 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	MACOM
Gaminio kategorija:	GaN FET
RoHS:
Montavimo stilius:	Screw Mount
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	120 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	28 A
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	- 3 V
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	56 W
Prekės Ženklas:	MACOM
Configuration:	Single
Gain:	21 dB
Didžiausia santakos vartų įtampa:	28 V
Didžiausias darbinis dažnis:	2.5 GHz
Minimalus darbinis dažnis:	300 MHz
Išvesties Galia:	20 W
Pakavimas:	Tray
Gaminio tipas:	GaN FETs
Gamyklinės pakuotės kiekis:	40
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	GaN
Tranzistoriaus tipas:	GaN HEMT
Vgs - užtūros-šaltinio pramušimo įtampa:	- 10 V, 2 V

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

CGH09120F Duomenų Lapas (PDF)

PCN

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

CGH09120F GaN High Electron Mobility Transistor

MACOM CGH09120F GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) is designed for high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities. This module allows for a high degree of DPD correction to be applied, making it ideal for MC-GSM, WCDMA, and LTE amplifier applications. This MACOM transistor is housed in a ceramic/metal flange package.