Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

IXSH40N120L2KHV

Name: IXYS IXSH40N120L2KHV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSH40N120L2KHV
Price: 7.48 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

747-IXSH40N120L2KHV

Mfr. #:

IXSH40N120L2KHV

Gam.:

IXYS

Aprašymas:

SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

Duomenų Lapas:

IXSH40N120L2KHV Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie IXYS IXSH40N120L2KHV

Prieinamumas: 408

Turime sandėlyje:: 408 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 27 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	7,48 €	7,48 €
	7,19 €	862,80 €
	7,05 €	3 595,50 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	IXYS
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
RoHS:
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-247-4L
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.2 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	41 A
RDS On - Drain-Source Varža:	104 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4.5 V
Qg – vartų krūvis:	53 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	250 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekės Ženklas:	IXYS
Configuration:	Single
Rudens laikas:	8.4 ns
Pakavimas:	Tube
Gaminys:	MOSFETs
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Kilimo Laikas:	11.7 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	30
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	SiC
Tipas:	SiC MOSFET
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	14.5 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	3.9 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

IXSH40N120L2KHV Duomenų Lapas (PDF)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IXSH40N120L2KHV SiC MOSFET

IXYS IXSH40N120L2KHV SiC MOSFET is an industrial-grade, single-switch SiC MOSFET exhibiting good power cycling characteristics and very fast, low-loss switching behavior. This MOSFET is designed with an ultra-fast intrinsic body diode and offers a maximum virtual junction temperature of 175°C. The IXSH40N120L2KHV MOSFET features high blocking voltage with low on-resistance and high-speed switching with low capacitance. The IXSH40N120L2KHV MOSFET is used in switch mode power supplies, solar inverters, UPS, motor drives, DC/DC converters, EV charging infrastructure, and induction heating applications.