Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

NTH4L070N120M3S

Name: onsemi NTH4L070N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L070N120M3S
Price: 7.97 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

863-NTH4L070N120M3S

Mfr. #:

NTH4L070N120M3S

Gam.:

onsemi

Aprašymas:

SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1

Duomenų Lapas:

NTH4L070N120M3S Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie onsemi NTH4L070N120M3S

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.

54 900 Galima Išsiųsti per 20 Dienų

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	7,97 €	7,97 €
	5,07 €	50,70 €
	3,73 €	373,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	onsemi
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-247-4
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.2 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	37 A
RDS On - Drain-Source Varža:	91 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4.4 V
Qg – vartų krūvis:	49 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	252 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	EliteSiC
Prekės Ženklas:	onsemi
Configuration:	Single
Rudens laikas:	11 ns
Tiesioginis laidumas - min:	9 S
Pakavimas:	Tube
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Kilimo Laikas:	12 ns
Serija:	NTH4L070N120M3S
Gamyklinės pakuotės kiekis:	450
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	SiC
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	20 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	10 ns

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

NTH4L070N120M3S Duomenų Lapas

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

M3S EliteSiC MOSFETs

onsemi M3S EliteSiC MOSFETs are solutions for high-frequency switching applications that employ hard-switched topologies. The onsemi M3S MOSFETs are designed to optimize performance and efficiency. The device has a remarkable ~40% reduction in total switching losses (Etot) compared to the 1200V 20mΩ M1 counterparts. The M3S EliteSiC MOSFETs are perfectly suited for various applications, including solar power systems, onboard chargers, and electric vehicle (EV) charging stations.

Heat Pumps

The heat pump stands as a cornerstone of the global shift towards secure and sustainable heating, harnessing low-emissions electricity to provide reliable warmth. While its primary function is heating, innovative reverse cycle models also offer cooling capabilities. Moreover, by efficiently recovering waste heat and elevating its temperature to practical levels, heat pumps hold immense potential for energy conservation. As businesses pivot towards a low-carbon future, there's a growing demand for more efficient power semiconductors. Balancing cost, footprint, and efficiency is paramount in this pursuit. onsemi Intelligent Power Modules (IPMs) emerge as a noteworthy solution within the heat pump market, offering compact design, high power density, and advanced control features.