N-Channel OptiMOS™ 7 80V Power MOSFETs

Infineon Technologies N-channel OptiMOS™ 7 80V Power MOSFETs are N-channel, normal level devices with superior thermal resistance. The OptiMOS 7 80V Power MOSFET series offers a soft-recovery body diode and is rated to 175°C. The Infineon OptiMOS 7 80V Power MOSFETs are available in a PG‑TDSON‑8 package and are optimized for motor drives and synchronous rectification applications.

Rezultatai: 3
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
Duomenų Lapas
5 039Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 122 A 3.4 mOhms 20 V 3.2 V 34 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8
Duomenų Lapas
2 699Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 209 A 1.9 mOhms 20 V 3.2 V 60 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
Duomenų Lapas
4 999Tikėtina 2026-04-24
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 167 A 2.4 mOhms 20 V 3.2 V 49 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape