CoolMOS™ C7 Gold (G7) Power MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ C7 Gold (G7) Power MOSFETs are housed in the SMD TO-Leadless (TOLL) package using the Kelvin source concept. The G7 MOSFETs combine improved 600V and 650V CoolMOS™ G7 technology, 4-pin Kelvin source capability, and the improved thermal properties of the TO-Leadless package. This enables an SMD solution for high current hard switching topologies like power factor correction (PFC) up to 3kW. For the 600V CoolMOS™ G7, the MOSFETs can be used for resonant circuits like high-end LLC.

Rezultatai: 12
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
1 800Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
1 482Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER NEW
Duomenų Lapas
1 603Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 141 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs 600VCoolMOSCM8PowerTransistor
Duomenų Lapas
2 700Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 4.7 V 17 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
3 978Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
1 214Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 174 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
23Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
30Prieinamumas
2 000Tikėtina 2026-08-27
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER NEW
Duomenų Lapas
1 950Tikėtina 2027-03-04
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 75 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 123 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER NEW
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 108 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 17 Savaičių
Min.: 2 000
Daugkart.: 2 000
: 2 000

Si CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
Vykdymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si CoolMOS Reel, Cut Tape