PrimePACK™3+ B-Series Modules

Infineon Technologies PrimePACK™3+ B-Series Modules are designed with Trench/Fieldstop IGBT5 and emitter-controlled 5 diodes. These modules feature extended operating temperature, high short-circuit capability, and unbeatable robustness. The PrimePACK™3+ modules offer high creepage and clearance distances, high power and thermal cycling capability, and high power density. These modules are ideal for high-power converters, motor drives, solar equipment, UPS systems, traction drives, and wind turbines.

Rezultatai: 6
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Gaminys
Configuration
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C
Užtvaro sklaidos įrenginio nuotėkio srovė
Pd - skaidos galia
Pakuotė / Korpusas
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pakavimas
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1700 V, 1800 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
2Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 2.1 V 1.8 kA 400 nA Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 900 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
6Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.7 V 1.5 kA 400 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 1500 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
8Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.7 V 1.5 kA 400 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1700 V, 1500 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
5Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.75 V 1.5 kA 400 nA 1.5 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF1500R17IP5PBPSA1
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1700 V, 1500 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
2Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.75 V 1.5 kA 400 nA 1.5 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai PP IHM I
Duomenų Lapas
Vykdymo Laikas 13 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules 1.2 kV 1.7 V 1.8 kA 400 nA 250 mm x 89 mm - 40 C + 175 C Tray