Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

NXVF6532M3TG01

Name: onsemi NXVF6532M3TG01
Brand: onsemi
SKU: 863-NXVF6532M3TG01
Price: 21.47 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

863-NXVF6532M3TG01

Mfr. #:

NXVF6532M3TG01

Gam.:

onsemi

Aprašymas:

SiC MOSFET SiC Power MOSFET Module 650V, 32mohm H-Bridge

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

Duomenų Lapas:

NXVF6532M3TG01 Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie onsemi NXVF6532M3TG01

Prieinamumas: 48

Turime sandėlyje:: 48 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 18 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	21,47 €	21,47 €
	17,57 €	175,70 €
	15,52 €	1 552,00 €
25 000	Pasiūlymas

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	onsemi
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
RoHS:
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	APM-16
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	4 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	650 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	31 A
RDS On - Drain-Source Varža:	44 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 8 V, + 22 C
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4 V
Qg – vartų krūvis:	58 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	65.2 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekės Ženklas:	onsemi
Configuration:	Quad
Rudens laikas:	9.2 ns
Tiesioginis laidumas - min:	12 S
Pakavimas:	Tube
Gaminys:	MOSFETs
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Kilimo Laikas:	6 ns
Serija:	NXVF6532M3TG01
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	SiC
Tipas:	Half Bridge
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	33.2 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	8.4 ns
Tranzistoriaus tipas:	4 N-Channel

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

NXVF6532M3TG01 Duomenų Lapas

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H-Bridge Power MOSFET

onsemi NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H-Bridge Power MOSFET Module is designed for demanding power conversion applications in automotive and industrial environments. Built with advanced Silicon Carbide (SiC) technology, the onsemi NXVF6532M3TG01 delivers superior efficiency, fast switching, and robust thermal performance. The module integrates four 32mΩ SiC MOSFETs in an H-Bridge configuration, making the device ideal for use in onboard chargers (OBCs), DC-DC converters, and electric vehicle (EV) powertrain systems. Housed in a compact APM16 package with integrated temperature sensing, the component supports high power density and reliable thermal management. The NXVF6532M3TG01 is AEC-Q101/Q200 and AQG324 qualified, ensuring automotive-grade reliability and performance in harsh operating conditions.