Rezultatai: 15
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Tranzistoriaus poliškumas Kanalų skaičius Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa svar. – nuolatinio išleidimo srovė RDS On - Drain-Source Varža Vgs - užtūros-šaltinio įtampa Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa Qg – vartų krūvis Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pd - skaidos galia Kanalas Mode Pakavimas
Vishay Semiconductors MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET 3 742Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 30 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
9 242Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 30 V 4 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO252 500V 8A N-CH MOSFET
2 107Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET 235Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 30 V 2 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET 861Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-262-3 Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
4 212Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 30 V 4 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET 11 018Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 30 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V 1 244Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 600
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 30 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
3 036Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
7 149Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 20 V 4 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET 2 860Prieinamumas
16 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
821Prieinamumas
1 000Tikėtina 2027-09-10
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 20 V 4 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET 775Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET 227Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 500V 8.0 Amp 3 200Turimos Atsargos
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 30 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel