HB Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics HB Trench Gate Field-Stop IGBTs use an advanced proprietary trench gate and field stop structure. These HB devices represent a compromise of conduction and switching losses to maximize frequency converter efficiency. A slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Rezultatai: 2
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Pakuotė / Korpusas
Montavimo stilius
Configuration
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa
Didžiausia vartų emiterio įtampa
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C
Pd - skaidos galia
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Serija
Pakavimas
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
Duomenų Lapas
3 169Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 260 W - 55 C + 175 C STGP30H60DFB Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
Duomenų Lapas
79Prieinamumas
1 000Tikėtina 2026-05-04
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 600 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 260 W - 55 C + 175 C STGB30H60DFB Reel, Cut Tape, MouseReel