NVXK2TR40WXT Silicon Carbide (SiC) Module

onsemi NVXK2TR40WXT Silicon Carbide (SiC) Module is a 1200V, 40mΩ, and 27A dual half-bridge EliteSiC power module housed in a APM32 Dual Inline Package (DIP). This SiC module is compactly designed to have a low total module resistance. The NVXK2TR40WXT power module is automotive-qualified per AEC-Q101 and AQG324. This power module is lead-free, ROHS, and UL94V-0 compliant. The NVXK2TR40WXT EliteSiC MOSFET power module is ideally used in DC-DC and onboard chargers in xEV applications.

Rezultatai: 2
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Serija
Pakavimas
onsemi MOSFET moduliai APM32 SIC POWER MODULE
Duomenų Lapas
568Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Through Hole APM-32 N-Channel 6 Channel 1.2 kV 55 A 59 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V - 55 C + 175 C 319 W NVXK2VR40WXT2 Tube
onsemi MOSFET moduliai APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE
Duomenų Lapas
34Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Through Hole APM-32 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 27 A 59 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V - 55 C + 175 C 319 W NVXK2TR40WXT Tube