Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

NVXK2TR40WXT

Name: onsemi NVXK2TR40WXT
Brand: onsemi
SKU: 863-NVXK2TR40WXT
Price: 57.11 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

863-NVXK2TR40WXT

Mfr. #:

NVXK2TR40WXT

Gam.:

onsemi

Aprašymas:

MOSFET moduliai APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE

Eksploatacijos Laikotarpis:

"Mouser Naujiena"

Duomenų Lapas:

NVXK2TR40WXT Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie onsemi NVXK2TR40WXT

Prieinamumas: 33

Turime sandėlyje:: 33 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 16 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	57,11 €	57,11 €
	49,60 €	496,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	onsemi
Gaminio kategorija:	MOSFET moduliai
RoHS:
Technologijos:	SiC
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	APM-32
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	4 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.2 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	27 A
RDS On - Drain-Source Varža:	59 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4.3 V
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	319 W
Serija:	NVXK2TR40WXT
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	onsemi
Configuration:	Dual Half-Bridge
Gamybos šalis:	Not Available
Distribucijos šalis:	Not Available
Kilmės šalis:	CN
Rudens laikas:	9 ns
Aukštis:	5.8 mm
Ilgis:	44.2 mm
Gaminio tipas:	MOSFET Modules
Kilimo Laikas:	20 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	60
Subkategorija:	Discrete and Power Modules
Tipas:	Half-Bridge
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	30 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	17 ns
Prekinis pavadinimas:	EliteSiC
Plotis:	29 mm

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

NVXK2TR40WXT Duomenų Lapas

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVXK2TR40WXT Silicon Carbide (SiC) Module

onsemi NVXK2TR40WXT Silicon Carbide (SiC) Module is a 1200V, 40mΩ, and 27A dual half-bridge EliteSiC power module housed in a APM32 Dual Inline Package (DIP). This SiC module is compactly designed to have a low total module resistance. The NVXK2TR40WXT power module is automotive-qualified per AEC-Q101 and AQG324. This power module is lead-free, ROHS, and UL94V-0 compliant. The NVXK2TR40WXT EliteSiC MOSFET power module is ideally used in DC-DC and onboard chargers in xEV applications.