CoolSiC™ Automotive 750V G2 MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 750V G2 MOSFETs are engineered to meet the stringent demands of electric vehicle (EV) applications such as traction inverters, onboard chargers (OBC), and high-voltage DC/DC converters. These silicon carbide (SiC) MOSFETs deliver exceptional efficiency, power density, and thermal performance, enabling next-generation e-mobility systems. With a voltage rating of 750V and second-generation CoolSiC™ technology, these devices offer improved switching behavior and reduced losses compared to traditional silicon solutions. The portfolio includes a range of RDS(on) values from 9mΩ to 78mΩ, providing flexibility for designers to optimize conduction and switching performance.

Rezultatai: 20
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
Duomenų Lapas
24Prieinamumas
750Tikėtina 2026-06-18
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 220 A 9 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 164 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
Duomenų Lapas
25Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 60 A 31 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 202 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
Duomenų Lapas
49Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 36 A 65 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Duomenų Lapas
31Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 86 A 25 mOhms -7 V to + 23 V 4.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
Duomenų Lapas
30Prieinamumas
750Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Duomenų Lapas
744Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 840 V 198 A 9 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 169 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Duomenų Lapas
18Prieinamumas
730Tikėtina 2026-05-04
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

SMD/SMT HD-SOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 65.6 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
Duomenų Lapas
15Prieinamumas
240Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 47 A 41.3 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
Duomenų Lapas
15Prieinamumas
240Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 28 A 78 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 108 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
Duomenų Lapas
4Prieinamumas
240Tikėtina 2026-05-06
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 72 A 25 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 59 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
Duomenų Lapas
25Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 32 A 65 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 122 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
Duomenų Lapas
25Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 40 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Duomenų Lapas
752Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 31 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C +175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Duomenų Lapas
1 011Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 50 A 41 mOhms - 7 V,+ 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Duomenų Lapas
619Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 50 mOhms - 7 V,+ 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Duomenų Lapas
1 025Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 65 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Duomenų Lapas
688Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 29 A 78 mOhms - 7 V, + 23V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
Duomenų Lapas
60Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 357 A 8 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 328 nC - 55 C + 175 C 1.499 kW Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
Duomenų Lapas
240Tikėtina 2027-04-14
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 172 A 9 mOhms - 11 V, + 25 V 5.6 V 169 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
Duomenų Lapas
240Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 116 A 13.8 mOhms - 7 V, + 25 V 5.6 V 106 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement CoolSiC