Rezultatai: 11
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 45mohm, 750V, TO-247-4LP, Automotive, Gen4
Duomenų Lapas
267Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 65 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 750V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
Duomenų Lapas
594Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 750 V 156 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 180 nC - 55 C + 175 C 554 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 750V, TO-247-4LP, Automotive, Gen4
Duomenų Lapas
335Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 750 V 35 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 175 C 126 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 15mohm, 750V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
Duomenų Lapas
1 131Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 750 V 156 A 15 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 180 nC - 55 C + 175 C 554 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 25mohm, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
Duomenų Lapas
241Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 80 A 21 mOhms - 8 V, + 19 V 2.6 V 119 nC - 40 C + 175 C 262 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 45mohm, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
Duomenų Lapas
423Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 2.6 V 65 nC - 40 C + 175 C 139 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
Duomenų Lapas
359Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 35 A 78 mOhms - 8 V, + 19 V 2.6 V 52 nC - 40 C + 175 C 126 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 25mohm, 750V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
Duomenų Lapas
644Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 750 V 84 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 114 nC - 55 C + 175 C 281 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 25mohm, 750V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Duomenų Lapas
137Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 80 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 119 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 45mohm, 750V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
Duomenų Lapas
674Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 750 V 46 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 62 nC - 55 C + 175 C 171 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 15mohm, 750V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Duomenų Lapas
1Prieinamumas
450Tikėtina 2026-05-28
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 128 A 15 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 191 nC - 40 C + 175 C 372 W Enhancement