SCT4013DW7TL

ROHM Semiconductor
755-SCT4013DW7TL
SCT4013DW7TL

Gam.:

Aprašymas:
SiC MOSFET TO263 750V 98A N-CH SIC

Duomenų Lapas:
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.
Daugiau informacijos
Sužinokite daugiau apie ROHM Semiconductor SCT4013DW7TL

Prieinamumas: 344

Turime sandėlyje:
344 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
27 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Pakuotė:
Visa Ritė (Užsakoma po 1000)

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“ †
23,99 € 23,99 €
19,75 € 197,50 €
19,43 € 1 943,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 1000)
19,26 € 19 260,00 €
† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami. ↩

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
ROHM Semiconductor
Gaminio kategorija: SiC MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
750 V
98 A
16.9 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
170 nC
+ 175 C
267 W
Enhancement
Prekės Ženklas: ROHM Semiconductor
Atitiktis: Done
Configuration: Single
Rudens laikas: 17 ns
Tiesioginis laidumas - min: 32 S
Pakavimas: Reel
Pakavimas: Cut Tape
Pakavimas: MouseReel
Gaminys: MOSFET's
Gaminio tipas: SiC MOSFETS
Kilimo Laikas: 32 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis: 1000
Subkategorija: Transistors
Technologijos: SiC
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 82 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 17 ns
Tranzistoriaus tipas: 1 N-Channel
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai: SCT4013DW7
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Duomenų Lapas

Specification Sheets

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SCT4013DW7 N-Ch SiC Power MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4013DW7 N-Ch SiC Power MOSFET is a 750V, 13mΩ low on-resistance MOSFET designed for fast switching. The SCT4013DW7 offers a fast reverse recovery, is easy to parallel, and is simple to drive. The ROHM SCT4013DW7 is ideal for solar inverters, induction heating, and motor drives.

750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [RDS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (ID) and source current (IS) (TC=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.

4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.

Įvyko netikėta klaida.


Turite klausimų? Apsilankykite pagalbos centre.
Jei turite klausimų apie konkretų užsakymą, prisijunkite prie savo paskyros.

Jei susidūrėte su papildomomis problemomis, susisiekite su mumis tel. Nr. 800-346-6873 arba el. paštu help@mouser.com.