BSM300D12P2E001

ROHM Semiconductor
755-BSM300D12P2E001
BSM300D12P2E001

Gam.:

Aprašymas:
MOSFET moduliai 300A SiC Power Module

Duomenų Lapas:
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.
Daugiau informacijos
Sužinokite daugiau apie ROHM Semiconductor BSM300D12P2E001

Prieinamumas: 4

Turime sandėlyje:
4 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
27 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
635,43 € 635,43 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
ROHM Semiconductor
Gaminio kategorija: MOSFET moduliai
RoHS:  
SiC
Screw Mount
Module
N-Channel
2 Channel
1.2 kV
300 A
- 6 V, + 22 V
2.7 V
- 40 C
+ 150 C
1.875 kW
BSMx
Bulk
Prekės Ženklas: ROHM Semiconductor
Configuration: Dual
Rudens laikas: 65 ns
Aukštis: 15.4 mm
Ilgis: 152 mm
Gaminio tipas: MOSFET Modules
Kilimo Laikas: 70 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis: 4
Subkategorija: Discrete and Power Modules
Tipas: SiC Power Module
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 250 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 80 ns
Vr - atvirkštinė įtampa: 1.2 kV
Plotis: 62 mm
Vieneto Svoris: 444,780 g
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Reglamentavimo kodai
TARIC:
8541590000
CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541590000
USHTS:
8541590080
JPHTS:
854159000
MXHTS:
8541500100
BRHTS:
85415020
ECCN:
EAR99
Klasifikacija pagal kilmę
Kilmės šalis:
Japonija
Šalis, kurioje pagaminta:
Ne
Distribucijos šalis:
Ne
Šalis gali keistis siuntimo metu.

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.

BSM300D12P2E001 SiC Power Module

ROHM Semiconductor BSM300D12P2E001 SiC Power Module is a half-bridge module consisting of a Silicon Carbide DMOSFET and a Silicon Carbide Schottky Barrier Diode. ROHM Semiconductor BSM300D12P2E001 SiC Power Module is designed for motor drives, inverter/converters, photovoltaics, energy harvesting, and induction heating equipment. It has low surge, low switching loss and high-speed switching are possible.

Įvyko netikėta klaida.


Turite klausimų? Apsilankykite pagalbos centre.
Jei turite klausimų apie konkretų užsakymą, prisijunkite prie savo paskyros.

Jei susidūrėte su papildomomis problemomis, susisiekite su mumis tel. Nr. 800-346-6873 arba el. paštu help@mouser.com.